|
|
|
|
|
|
Главная / Новости / Кадры / Аспирантка Института физики полупроводников Алина Герасимова создает элементы энергонезависимой резистивной памяти
23:50, 15 Мая 20
Электроэнергетическая Россия Сибирский ФО Аспирантка Института физики полупроводников Алина Герасимова создает элементы энергонезависимой резистивной памяти  «Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного состава HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM», — делится младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.
За исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска, и аспирантка Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, выпускница НГТУ НЭТИ Алина Герасимова стала лауреатом конкурса мэрии Новосибирска на присуждение премии в сфере науки и инноваций.
Научная работа посвящена синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти. Последняя может совмещать в себе свойства флэш-памяти: сохранение информации без подключения к источнику энергии, высокую скорость работы, характерную для динамической (оперативной) памяти и большой информационный объем.
«Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM. Благодаря использованию методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектральной эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и высокоразрешающей электронной микроскопии мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов. Новые сведения позволят лучше понять процессы, происходящие в активном слое ячеек памяти ReRAM, что поможет оптимизировать технологию изготовления и улучшить их характеристики», — объясняет младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.
Конкурс на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций проводится ежегодно в целях стимулирования научной, научно-технической и инновационной деятельности. Размер премии составляет сто тысяч рублей. Среди получателей этого года 30 молодых исследователей.
Справка: Алина Герасимова окончила факультет радиотехники и электроники НГТУ НЭТИ в 2015 году, работает в ИФП СО РАН с 2012 года, неоднократно выступала на международных и российских конференциях, результаты ее совместных с коллегами исследований опубликованы в научных журналах: MaterialsResearchExpress, Nanotechnology, Advanced Electronic Materials и других. В 2019 году А. Герасимова стала стипендиаткой Правительства РФ. Сейчас молодой ученый планирует провести несколько экспериментов, связанных с электрофизическими измерениями выращенных соединений. Результаты всего комплекса работ лягут в основу кандидатской диссертации Алины.
Все новости за сегодня (33)
|
 Иовской ГЭС исполнилось 65 лет
28 декабря 1960 года был введён в эксплуатацию первый гидроагрегат Иовской ГЭС. Станцию возвели в рекордные даже для советских энергетиков сроки — чуть более чем за два года. |
|
О проекте
Размещение рекламы на портале
Баннеры и логотипы "Energyland.info" |
|
