Энергаз2
Главная / Новости / Кадры / Аспирантка Института физики полупроводников Алина Герасимова создает элементы энергонезависимой резистивной памяти

Новости


23:50, 15 Мая 20
Электроэнергетическая Россия Сибирский ФО
Аспирантка Института физики полупроводников Алина Герасимова создает элементы энергонезависимой резистивной памяти

Аспирантка Института физики полупроводников СО РАН Алина Герасимова создала элементы энергонезависимой резистивной памяти «Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного состава HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM», — делится младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.

За исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска, и аспирантка Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, выпускница НГТУ НЭТИ Алина Герасимова стала лауреатом конкурса мэрии Новосибирска на присуждение премии в сфере науки и инноваций.
 
Научная работа посвящена синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти. Последняя может совмещать в себе свойства флэш-памяти: сохранение информации без подключения к источнику энергии, высокую скорость работы, характерную для динамической (оперативной) памяти и большой информационный объем.
 
«Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM. Благодаря использованию методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектральной эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и высокоразрешающей электронной микроскопии мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов. Новые сведения позволят лучше понять процессы, происходящие в активном слое ячеек памяти ReRAM, что поможет оптимизировать технологию изготовления и улучшить их характеристики», — объясняет младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.
 
Конкурс на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций проводится ежегодно в целях стимулирования научной, научно-технической и инновационной деятельности. Размер премии составляет сто тысяч рублей. Среди получателей этого года 30 молодых исследователей.
 
Справка: Алина Герасимова окончила факультет радиотехники и электроники НГТУ НЭТИ в 2015 году, работает в ИФП СО РАН с 2012 года, неоднократно выступала на международных и российских конференциях, результаты ее совместных с коллегами исследований опубликованы в научных журналах: MaterialsResearchExpress, Nanotechnology, Advanced Electronic Materials и других. В 2019 году А. Герасимова стала стипендиаткой Правительства РФ. Сейчас молодой ученый планирует провести несколько экспериментов, связанных с электрофизическими измерениями выращенных соединений. Результаты всего комплекса работ лягут в основу кандидатской диссертации Алины.


Читайте также:

Тэги: технологии
Все новости за сегодня (0)
   
agora

Поздравляем!
Две пятерки Солнечногорского РЭС Две пятерки Солнечногорского РЭС

Солнечногорские энергетики ежегодно подключают к своим сетям от 3,5 до 4 тысяч новых потребителей — это самый высокий показатель на севере Московской области, и один из самых высоких в Подмосковье.



О проекте Размещение рекламы на портале Баннеры и логотипы "Energyland.info"
Яндекс цитирования         Яндекс.Метрика