Аспирантка Института физики полупроводников Алина Герасимова создает элементы энергонезависимой резистивной памяти

15.05.20 23:50

За исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска, и аспирантка Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, выпускница НГТУ НЭТИ Алина Герасимова стала лауреатом конкурса мэрии Новосибирска на присуждение премии в сфере науки и инноваций.

 

Научная работа посвящена синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти. Последняя может совмещать в себе свойства флэш-памяти: сохранение информации без подключения к источнику энергии, высокую скорость работы, характерную для динамической (оперативной) памяти и большой информационный объем.

 

«Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM. Благодаря использованию методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектральной эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и высокоразрешающей электронной микроскопии мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов. Новые сведения позволят лучше понять процессы, происходящие в активном слое ячеек памяти ReRAM, что поможет оптимизировать технологию изготовления и улучшить их характеристики», — объясняет младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.

 

Конкурс на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций проводится ежегодно в целях стимулирования научной, научно-технической и инновационной деятельности. Размер премии составляет сто тысяч рублей. Среди получателей этого года 30 молодых исследователей.

 

Справка: Алина Герасимова окончила факультет радиотехники и электроники НГТУ НЭТИ в 2015 году, работает в ИФП СО РАН с 2012 года, неоднократно выступала на международных и российских конференциях, результаты ее совместных с коллегами исследований опубликованы в научных журналах: MaterialsResearchExpress, Nanotechnology, Advanced Electronic Materials и других. В 2019 году А. Герасимова стала стипендиаткой Правительства РФ. Сейчас молодой ученый планирует провести несколько экспериментов, связанных с электрофизическими измерениями выращенных соединений. Результаты всего комплекса работ лягут в основу кандидатской диссертации Алины.

Читайте также: